Organizația:
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii “D. Ghiţu”
| Nr. | Serviciu științific Sort descending | Descriere serviciu |
|---|---|---|
| 1. | Fotoreceptor de radiație UV | Nanocristalelele de GaN [1], dopate cu Mg sunt obținute prin nitridizarea în flux de amoniac (NH3) de 0.3 L/min a precursorului de Ga2O3 în formă de pulbere menţinute la t = 800 -1000oC, timp de 4 ore în cuptor orizontal [2]. Doparea cu Mg se efectuează prin mixarea compoziţiilor stoichiometrice a oxizilor de Ga2O3 şi MgO în formă de pulbere, unde după nitridizare se formează Ga1-xMgxN (unde x=0; 0,5; 1,0; 2,0 % at). Ca rezultat a fost sintetizată pulberea de GaN cu conductibilitate de tip p, cu 0-2% at. concentraţie de Mg şi dimensiunea nanocristalitelor de 100-200 nm. Reacţia de formare a nanoparticulelor de GaN prin procesul de nitridizare poate fi descrisă astfel: Ga2O3(s) +2NH3(g) →2GaN(s) + 3H2O |
| 2. | Procedee de obținere a semiconductorilor pe bază de GaN:Mg | Nanocristalelele de GaN [1], dopate cu Mg sunt obținute prin nitridizarea în flux de amoniac (NH3) de 0.3 L/min a precursorului de Ga2O3 în formă de pulbere menţinute la t = 800 -1000oC, timp de 4 ore în cuptor orizontal [2]. Doparea cu Mg se efectuează prin mixarea compoziţiilor stoichiometrice a oxizilor de Ga2O3 şi MgO în formă de pulbere, unde după nitridizare se formează Ga1-xMgxN (unde x=0; 0,5; 1,0; 2,0 % at). Ca rezultat a fost sintetizată pulberea de GaN cu conductibilitate de tip p, cu 0-2% at. concentraţie de Mg şi dimensiunea nanocristalitelor de 100-200 nm. Reacţia de formare a nanoparticulelor de GaN prin procesul de nitridizare poate fi descrisă astfel: Ga2O3(s) +2NH3(g) →2GaN(s) + 3H2O |
| 3. | Servic | Serv |