Organizații

Rapoarte

Organizația:
Universitatea Tehnică a Moldovei
Infrastructura:
Infrastructura de cercetare în domeniul studiului și testării materialelor
Nr. Serviciu științific Descriere serviciu
1. Caracterizarea electrică și fotoelectrică a materialelor în funcție de temperatură

Dispozitivele de masurare Keithley 2400 si Keithley 6430 permit înregistrarea curenților de ordinul nA și sub-pA, respectiv.
Excitarea fotocurentului se efectuează utilizând laserul Nd:YAG LP 603. Laserul emite în regim de impuls și oferă posibilitatea schimbării dirijate a lungimii de undă în spectrul vizibil 410-700 nm.
Caracterizarea electrică și fotoelectrică poate fi realizată în intervalul de temperaturi 10-350 K, utilizând criostatul ARS-DE202.
2. Cercetare în domeniul microscopiei de forță atomică

Studiul topografiei suprafetei probelor;
Metodă nedestructiva de studiu;
Posibilitatea de scanare în modurile Contact sau Non-Contact;
Rezolutia de scanare: 5 nm;
Studiul probelor conductoare și izolatoare;
Modelare 3D a suprafeței invesigate
3. Fotolitografie și depunerea pelicolelor subțiri

Echipamentul din laborator permite elaborarea procesului de transfer fotolitografic al design-ului circuitului/desenului de pe masca fotolitografică pe materialul de studiu.
Instalatia Cylos 160 RIE oferă posibilitatea tratării probelor în plasmă de Ar, O2 sau N2.
Depunerea straturilor subțiri de SiO2 se efectuiază prin metoda PECVD.
4. Nanostructurarea electrochimică și fotoelectrochimică

Nanostructurarea electrochimică și fotoelectrochimică în regim potențiostat sau galvanostat a materialelor conductoare și semiconductoare cu posibilitatea controlului temperaturii electrolitului în intervalul -20 ÷ 200 0C cu echipamentul ELYPOR-02.
Tensiunea maximă: 120 V și curentul 200 mA.
Pot fi produse nanotemplate semiconductoare (GaN, InP, GaP, CdSe, ZnSe) și dielectrice (Al2O3) pentru utilizarea lor ulterioară în alte procese nanotehnologice.
5. Servicii de cercetare în domeniul microscopiei electronice

Studiul morfologiei suprafetei probelor în baza materialelor solide;
Analiza chimică nedestructivă a materialelor;
Rezolutia la scanare: 50 nm la 30 kV;
Posibilitatea de scanare cu tensiunea de accelerare 500 V- 30 kV.